发改今年将成人工智能关键年人工智能站在风口也来自资本的助推。

为了能充分利用石墨纳米片优异的平面导热特性，委研网和网作者先是通过涂膜获得了几十微米厚，委研网和网具备高度水平取向的石墨纳米片复合薄膜，再利用热压和切割工艺获得了高度竖直取向的石墨纳米片热界面材料。最高在20W功率下，究制芯片温度降低了42.3oC。

这一材料中，定电纵向热导率为26.3W(mK)-1。新增(2)制备工艺具备大规模化生产的基础。再将其逐层叠加，配电热压和切割制备了具有高纵向导热的热界面材料。

此外，格形通过特定的切割设备，可以保证材料的厚度可控。本文亮点该项目的创新点在于：成机(1)通过一系列的界面工程实现了石墨纳米片在热界面材料中的竖直排列，成机从而充分利用石墨纳米片的导热特性，让热界面材料具备突出的纵向热导率，其热导率为26.3W(mK)-1。

图2取向石墨纳米片热界面材料的显微结构示意图对比材料涂膜和热压后的微观形貌，发改SEM结果表明，发改热压后石墨纳米片在复合材料内部的取向会进一步的增加。

最后切割完成后的热界面材料中，委研网和网石墨纳米片呈现竖直排列的特征。因此，究制一维或者二维周期的ReSe2可以施加在其他二维材料上作为多层异质结构的组成部分。

图7(a)图5中ReSe2样品的光学显微镜，定电(b)同一样品的AFM图像轻敲模式识别薄片内的层数。厚的，新增高度反光的薄片被标记为t;它的信号相对较弱，因此在(d)中不可见。

首先，配电与其他TMD类似，配电块体ReSe2是由夹在上下面的Se原子和层间的Re原子所组成的一种平面层结构，其中层与层之间由范德华力连接，相邻层的垂直距离为6.56 Å，这也是测量得到的单层(1L)厚度。在相似的实验条件下，格形光谱没有归一化来表示典型的相对强度。